RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
44
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
8.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
1660
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link