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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
62
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
36
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3044
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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