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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
62
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
46
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2973
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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