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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
62
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2384
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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