RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link