RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
77
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2098
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link