RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
62
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
33
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2795
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link