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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
62
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
38
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2856
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8HTF12864HZ-800H1 1GB
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