RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
62
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
38
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2856
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link