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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2706
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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