RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
62
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
32
Velocità di lettura, GB/s
7.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2706
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link