RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
62
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link