RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link