RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
62
En -182% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
22
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3070
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link