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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
62
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
31
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2320
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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