RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
62
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
31
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link