RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
62
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
31
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link