RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Kingston XN205T-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston XN205T-MIE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
62
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
31
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3522
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.C8F1 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link