RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link