RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link