RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link