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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
62
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2761
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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