RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
62
Intorno -107% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
30
Velocità di lettura, GB/s
7.4
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2761
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link