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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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