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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
66
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
66
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
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