RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
66
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link