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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1678
3827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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