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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1678
3827
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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