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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB vs Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En 15% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
34
40
Velocidad de lectura, GB/s
8.4
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1847
2068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905428-051.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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