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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB vs Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
40
Intorno 15% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
8.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
34
40
Velocità di lettura, GB/s
8.4
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1847
2068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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