RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
68
Intorno -162% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
26
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
2740
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link