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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB vs Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
40
Por volta de 15% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
8.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
34
40
Velocidade de leitura, GB/s
8.4
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1847
2068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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