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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2250
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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