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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MID 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MID 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
41
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
2338
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston K821PJ-MID 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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