RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Kingston K821PJ-MID 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Kingston K821PJ-MID 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston K821PJ-MID 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.7
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
41
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2338
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link