RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
23400
Около 1.09% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
23400
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2709
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link