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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
23400
Por volta de 1.09% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
23400
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2709
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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