Porównanie pamięci RAM Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Wynik ogólny

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

17.8 16

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.5 12.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 23400

Wokół strony 1.09% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 33

Wokół strony -10% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3285 2709

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns