RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
69
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
69
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1980
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link