RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
69
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
69
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1980
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link