RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
65
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link