RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
65
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link