RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3379
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link