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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
65
En -261% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
19.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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