RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
65
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link