RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2646
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link