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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
65
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2340
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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