RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
KingSpec KingSpec 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link