RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link