RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link