RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
65
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2513
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link