RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
74
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
74
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link