RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
74
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
74
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link