RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kllisre D4 8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kllisre D4 8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre D4 8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
65
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
47
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link